【MOS最常損壞5種模式詳解】雪(xuě)崩破壞、器(qì)件↔★¥(jiàn)發熱(rè)損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生(shē♥ ε§ng)振蕩導緻的(de)破壞、栅極電(diàn)湧、靜(j★↕ìng)電(diàn)破壞第一(yī)種：雪(xuě)崩破壞如(rú¥β )果在漏極-源極間(jiān)外(wài)加超出器(qì)件(jε$iàn)額定VDSS的(de)電(diàn)湧電(diàn)壓，而且達到( φ‌dào)擊穿電(diàn)壓V(BR)DSS≤•  ...

【詳解各元器(qì)件(jiàn)等效電(diàn)路₩÷α>(lù)】電(diàn)阻、電(diàn)容、電(diànφ∑λ€)感、二極管、MOS管！ α¥電(diàn)阻電(diàn)阻等效電(∑♠↕™diàn)路(lù)電(diàn)阻的(de)等‍§↓效阻抗同一(yī)個(gè)電(diàn)阻元件(jiàn)在通(tōε​"≈ng)以直流和(hé)交流電(diàn)♠☆₽δ時(shí)測得(de)的(de)電(dià€‍&n)阻值是(shì)不(bù)相(xiàng)同的(de)。在高(g'&•≠āo)頻(pín)交流下(xià)，須考慮電(diàn)阻元件(jiàn'λ)的(de)引...

【開(kāi)關各個(gè)電(diàn)δ±阻計(jì)算(suàn)】：放(fàng)電(diàn)電(d±←iàn)阻、熱(rè)敏電(diàn)阻、壓敏電(d ★±"iàn)阻、啓動電(diàn)阻、吸收電(diàn)阻、VCC電₽☆"(diàn)阻、驅動電(diàn)阻、反饋電(diàn)阻 開(kāi)®γ$§關電(diàn)源裡(lǐ)面用(yòng)量很γ↓(hěn)大(dà)的(de)一(yī)個(gè)↕&元器(qì)件(jiàn)，電(diànγ₽)阻。根據個(gè)人(rén)的(de)"↓經驗，大(dà)緻的(de)聊下(xià)電(₹±Ωdiàn)阻的(de)相(xiàng)關內(nèi)容，也(yě)希望ε'→同...

開(kāi)關電(diàn)源原理(lǐ)簡圖下(xià)圖是(s✘₽"hì)開(kāi)關電(diàn)源的(de)原理(lǐ)簡圖，以反激為(w£↔èi)例！設定一(yī)下(xià)主要≈≥(yào)參數(shù)如(rú)下(xià)：輸入‌÷α♥電(diàn)壓：Vin=AC176-264V輸出電(diàn<×‍✔)壓：Vout=12VVcc電(diàn♥ε)壓：Vcc=15V變壓器(qì)匝比：N下(xià)面對(duì)上(s♣ hàng)述圖片中的(de)各個(gè)元器(qì)件(ji☆♣¥×àn)進行(xíng)應力計(jì)算(suàn)。1、整流...

開(kāi)關電(diàn)源待機(jī)功耗問(wèn)題就( ∑♦jiù)該這(zhè)樣解決！！！輸入部分(fēn)損耗1、脈沖電(diànβ₹)流造成的(de)共模電(diàn)感T的(de)內("←≥nèi)阻損耗加大(dà)适當設計(jì ∏π✔)共模電(diàn)感，包括線徑和(hé)匝數(shù<→)2、放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻上(shàng)的(de)損™​耗在符合安規的(de)前提下(xià)加大(₽≥ ✔dà)放(fàng)電(diàn)電(diàn)♣₽λ阻的(de)組織3、熱(rè)敏電(diàn)阻上(shàng)的(de)損耗 Ω™®...