輸入部分(fēn)損耗
1、脈沖電(diàn)流造成的(de)共模電(diàn)感T的(d ∞γ≈e)內(nèi)阻損耗加大(dà)
适當設計(jì)共模電(diàn)感，包括線徑和(hé)匝數(shù<≠< )
2、放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻上(shàng)的(d☆₽e)損耗
在符合安規的(de)前提下(xià)加大(dà)€♥放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻的(de)組織
3、熱(rè)敏電(diàn)阻上(shàng)的♣←∑(de)損耗
在符合其他(tā)指标的(de)前提下(xià)減小(xiǎo)熱(rè)βε☆→敏電(diàn)阻的(de)阻值
&n∏">σbsp; γ' ¥ ; ← ∑ 啓動損耗
普通(tōng)的(de)啓動方法，開(kāi)關電ε (diàn)源啓動後啓動電(diàn)阻回路(lù)未切斷✘₩，此損耗持續存在
改善方法：恒流啓動方式啓動，啓動完成後關&λ★閉啓動電(diàn)路(lù)降低(dī←♠)損耗。
&nbβ✘☆¥sp; ¥ ®∞ •&♣₹; &n☆©αbsp; 與開(kāi)關電(diàn)源工(gōng)作(zuò)相(xi× ♦àng)關的(de)損耗
±↓; &nb✔®sp; >Ω☆☆; &nbβ<sp; 鉗位電(di↔>àn)路(lù)損耗
有(yǒu)放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻存在，mos開(kā& ☆i)關管每次開(kāi)關都(dōu)會(huì)産生(sh£€λēng)放(fàng)電(diàn)損耗
改善方法：用(yòng)TVS鉗位如(rú)∑'©≈下(xià)圖，可(kě)免除電(diàn)阻放(fàng)電(di λ↔àn)損耗（注意：此處隻能(néng)降β•₽低(dī)電(diàn)阻放(fàng)電(diàn)損耗，漏感能(néng)量引起的(de)尖峰損耗是(β×shì)不(bù)能(néng)避免的(de)）
當然最根本的(de)改善辦法是(shì)，降低(dī)變壓器(•↓qì)漏感。
™↓γ; &÷≠§¶nbsp; 供電(diànα↓)繞組的(de)損耗
電(diàn)源芯片是(shì)需要(yào)一(yī)定的(d≥σe)電(diàn)流和(hé)電(diàn)壓進行(xíng↕™>β)工(gōng)作(zuò)的(de)，如(rú)果V®≈<cc供電(diàn)電(diàn)壓越高(gāo)損→≥耗越大(dà)。
改善方法：由于IC內(nèi)部消耗的(de)電(diàn)流是(÷shì)不(bù)變的(de)，在保證芯片能(néng)在安全工(gōn☆≤≈✘g)作(zuò)電(diàn)壓區(qū)間(jiān)的(de)前提下(π xià)盡量降低(dī)Vcc供電(diàn)電(diàn)壓！
&nφλδbsp; &nb←&sp; ¥♦®; 變壓器(qì)的(de)損耗
由于待機(jī)時(shí)有(yǒu)效工(gōng)作(zuò★∞)頻(pín)率很(hěn)低(dī)，并且一(yī)般限流點'♥σ&很(hěn)小(xiǎo)，磁通(tōng)變§σ₹化(huà)小(xiǎo)，磁芯損耗很(hěn)小(xiǎo)∞•↔ ，對(duì)待機(jī)影(yǐng)響不(bù)大(dà)，但(dà✘↓₽n)繞組損耗是(shì)不(bù)可(kě)忽略的(de)。
變壓器(qì)繞組引起的(de)損耗
繞組的(de)層與層之間(jiān)的(de)分(fēn)布電(diàn)容↓→ 的(de)充放(fàng)電(diàn)損耗(分(fēn)布電(diàn↔£♣∏)容在開(kāi)關MOS管關斷時(shí)充電(diàn)，在開(kāiδ↔₹÷)關MOS管開(kāi)通(tōng)時(sh✘÷í)放(fàng)電(diàn)引起的(de)損耗。）
當測試mos管電(diàn)流波形時(shí)，剛開(kāi)啓的(de)時>φ(shí)候有(yǒu)個(gè)電(diàn)流尖峰✘•主要(yào)由變壓器(qì)分(fēn)布電(diàn)容引起↑÷。
改善方法:在繞組層與層之間(jiān)加絕緣膠帶，來(lái)減少(s≤→∞βhǎo)層間(jiān)分(fēn)布電(dià ©n)容。
&n bsp; ε× 開×≠∏(kāi)關管MOSFET上(shàng)的(de)損Ωε 耗
mos損耗包括：導通(tōng)損耗，開(kāi)關損耗≈↕，驅動損耗。其中在待機(jī)狀态下(xià)最大(dà)的(de)損耗就♠∑←(jiù)是(shì)開(kāi)關損耗。
改善辦法：降低(dī)開(kāi)關頻(pín)γ"率、使用(yòng)變頻(pín)芯片甚至跳(tiào)頻(pín¥λ↑ )芯片（在空(kōng)載或很(hěn)輕負載的(de)情•∑∞況下(xià)芯片進入間(jiān)歇式振蕩）
& ©Ω±nbsp; ↔¶₹¥ <∞•; &nbβ₽sp; 整流管上(shàng)的(de)吸收損耗
輸出整流管上(shàng)的(de)結電(d§♥iàn)容與整流管的(de)吸收電(diàn)容在開(kāi)關狀态下(x<☆ià)引起的(de)尖峰電(diàn)流反射☆♦€到(dào)原邊回路(lù)上(shàng)，引起的(de)π 開(kāi)關損耗。另外(wài)還(hái)有(yǒu)吸收電(diàn≈∏♦)路(lù)上(shàng)的(de)電(diàn)阻充放 ♠ ★(fàng)電(diàn)引起的(de)損耗。
改善方法：在其他(tā)指标允許的(de)前提下(">πxià)盡量降低(dī)吸收電(diàn)容的(de)容值，降低(dī)吸收電<♦←(diàn)阻的(de)阻值。
當然還(hái)有(yǒu)整流管上(shàng)的(deε☆)開(kāi)關損耗、導通(tōng)損↓♠耗和(hé)反向恢複損耗，這(zhè)應該在允許的(de)情況下(xià)φ<盡量選擇導通(tōng)壓降低(dī)和(hé)反向恢複™←₹λ時(shí)間(jiān)短(duǎn)的(de)二極管。
&n&✔bsp; ♣≤∞∞ 輸出反饋電(diàn)路(lù)的(de)損耗
