電(diàn)源産品在做(zuò)驗證時(¥‌∑÷shí)，經常會(huì)遭遇到(dào)電(diàn)磁幹擾(EMI)↔$¥&的(de)問(wèn)題，有(yǒu)時(shí¥£↓)處理(lǐ)起來(lái)需花(huā)↔λ★費(fèi)非常多(duō)的(de)時£♦↓(shí)間(jiān)，許多(duō)工(gōng)程師(shī↑πδ)在對(duì)策電(diàn)磁幹擾時(¥♥shí)也(yě)是(shì)經驗重于理(lǐ)論，知(zhī)道(₽•λ dào)哪個(gè)頻(pín)段要(yào)對(duì)策那(nà)些φ♣α(xiē)組件(jiàn)，但(dàn)對(duì)于理(lǐ)論上(s Ω©hàng)的(de)分(fēn)析卻很(hěn)欠缺。從(cóng)事(s<¶σ&hì)開(kāi)關電(diàn)源...

開(kāi)關電(diàn)源維修 開(kāi)關電(diàn)源故障 ​₹電(diàn)源廠(chǎng)家(jiā)故障 開(kāi)關↑₽✔∞電(diàn)源維修技(jì)巧 開(k≈₽‍āi)關電(diàn)源維修步驟 電(diàn)源檢修方法 開(kā₩λi)關電(diàn)源怎麽維修 電(diàn)源如(rú)何維修₹§•§ 開(kāi)關電(diàn)源維修方法

最常用(yòng)電(diàn)源設計(jì)10個(gè)公式解析！1↓✔π MOSFET開(kāi)關管工(gōn&↔g)作(zuò)的(de)最大(dà)占空(kōng)比Dm∑♠÷±ax：式中：Vor為(wèi)副邊折射到(dào)原邊的(de)反射電(©€≤diàn)壓，當輸入為(wèi)AC 220V時(shí)反♥π射電(diàn)壓為(wèi)135V；VminDC為(wèi)整流後的(deσ↕)最低(dī)直流電(diàn)壓； VDS為(wèi)MOS' ♥®FET功率管導通(tōng)時(shí)D與S極...

【MOS最常損壞5種模式詳解】雪(xuě)崩破壞、器Ω ×∏(qì)件(jiàn)發熱(rè)損壞、內(nèi)置二極管破壞、σ•由寄生(shēng)振蕩導緻的(de)破壞、栅極電₹φ✔(diàn)湧、靜(jìng)電(diàn)破壞第一(yī)種∑×：雪(xuě)崩破壞如(rú)果在漏極-源極間(jiān)外(wài)δ∏σ加超出器(qì)件(jiàn)額定VDSS的(de)電(diàn)←πσ湧電(diàn)壓，而且達到(dào)擊穿電(diàn)壓V(BR)DS®↔S ...

【詳解各元器(qì)件(jiàn)等效電(dià£π↕$n)路(lù)】電(diàn)阻、電(diàn)容、電(diàn)Ωφ∏ 感、二極管、MOS管！ '♦Ω 電(diàn)阻電(diàn)阻等效電(diàn★•✘↕)路(lù)電(diàn)阻的(de)等效阻抗同一(y•←€÷ī)個(gè)電(diàn)阻元件(jiàn)在通(tōng€λ♦)以直流和(hé)交流電(diàn)時(shí)測得(d ♦™≤e)的(de)電(diàn)阻值是(shì)不(bù)相(xiσφàng)同的(de)。在高(gāo)頻(pín)交流下(xià)，須考慮電¥&¶♦(diàn)阻元件(jiàn)的(de)引...