【開(kāi)關電(diàn)源各個(gè)電(diàn)阻計(jì)算(sε←uàn)】：放(fàng)電(diàn),熱♠±(rè)敏,壓敏,啓動,VCC,反饋..."λ★

【開(kāi)關各個(gè)電(diàn)阻計(j≠'ì)算(suàn)】：放(fàng)電(¶★‌&diàn)電(diàn)阻、熱(rè)敏電(diàn)阻、壓敏電(dià÷★n)阻、啓動電(diàn)阻、吸收電(diàn₹ $‍)阻、VCC電(diàn)阻、驅動電(diàn)δ∑₽阻、反饋電(diàn)阻....

根據個(gè)人(rén)的(de)經驗，大(dà)≥←↕φ緻的(de)聊下(xià)電(diàn)阻的£→(de)相(xiàng)關內(nèi)容，也(yě)希望★≥✘¥同行(xíng)提供些(xiē)資料，一(yΩ∏ī)起學習(xí)，探討(tǎo)一(yī)下(xià)，順便給新人(rénγ'♥)提供點參考。

放(fàng)電(diàn)電(diàn)阻
R1,R2,R3,R4的(de)放(fàng)電(diàn)'€‍≥電(diàn)阻取值。

IEC60950，IEC60065都(dε↕ōu)有(yǒu)規定放(fàng)電(diàn)時(shí→÷")間(jiān)對(duì)應放(fàng)電(diàn)電(di‌‍àn)壓的(de)。

X電(diàn)容超過0.1uF的(de)話(huà)基本要(ΩΩεyào)加上(shàng)這(zhè)4↔¶÷↑個(gè)電(diàn)阻了(le)。

IEC60950規定1s內(nèi)電(diàn)壓需下(xià)降至37%®‍‍，IEC60065規定2S內(nèi)電(diδ≠∏àn)壓需降至35V。

一(yī)般情況都(dōu)是(shì)通(tōng)過測$♣±←試去(qù)判定，1S內(nèi)plug↔±®☆端的(de)電(diàn)壓(240VrmsX1.4.1=÷≈340Vpeak)下(xià)降到(dào)初始電(dià₹§n)壓的(de)37%(125.8Vpeak)就(j∞↑iù)pass了(le)。

至于采用(yòng)4個(gè)組成2串2并，好(hǎ£<♠≤o)像是(shì)有(yǒu)要(yào)求放(fàn♠₩g)電(diàn)電(diàn)阻有(yǒu©₩')一(yī)個(gè)失效，也(yě)要(♥≥πyào)能(néng)把X電(diàn)容的(de)電(diàn)>π↓放(fàng)掉。

附參考圖：X電(diàn)容為(wèi)334/340V±​ R1=R2=R3=R4=1.5M。

放(fàng)電(diàn)時(shí)間(ji♠'παān)與放(fàng)電(diàn)電(diàn)壓波形如(rú)圖。

R1，R2，R3，R4一(yī)般采用(yòng)0805的(de)δ★≤φ封裝精度采用(yòng)5%。如(rú)果輸入是(sh₩☆ì)277的(de)話(huà)，就(jiù)要(yγ'ào)采用(yòng)2并3串的(de)€αδ∞方法了(le)。（0805的(de)耐壓問(wèn)題' ）

由于與待機(jī)功耗和(hé)PCB尺寸有(yǒu)關，所以很(✘λ§$hěn)多(duō)公司都(dōu)推出替代方案，γ →取消X電(diàn)容的(de)洩放(fà™ ×→ng)電(diàn)阻，采用(yòng)IC去(qù)放(π₹≤fàng)掉X電(diàn)容的(de)電(diànφ←)。

也(yě)有(yǒu)小(xiǎo)功率÷↓的(de)幹脆不(bù)用(yòng)X電(diàn)容，也(yě)可($σΩkě)以省掉幾個(gè)電(diàn)阻，減小(xiǎo) →待機(jī)功耗，或者IC從(cóng)&φ₩ε這(zhè)個(gè)位置取電(diàn)，降低(dī)待機(∞®δjī)功耗。
電(diàn)阻的(de)國(guó)際标準

國(guó)标電(diàn)阻數(shù)值E數(shù)列認讀(dú) 

為(wèi)了(le)使工(gōng)廠(ch↕♣∞ǎng)生(shēng)産的(de)電(diàn)阻符合标準化(huà)的( ​de)要(yào)求，同時(shí)也(yě)為(wèi)了(∞÷‌¥le)使電(diàn)阻的(de)規格不(bù)緻太多(duō)，國(guó) ★ε家(jiā)有(yǒu)關部門(mén)規定了(le)一(yī)系列的(de)阻值作π""(zuò)為(wèi)産品的(de)标準，這(zhè)一(yī)系列的>β>(de)阻值就(jiù)叫做(zuò)電(diàn©↓)阻的(de)标稱阻值。 

電(diàn)阻的(de)标稱阻值分(fēn)為(wèi)E6、E12、E24、E48、E96、E192六大↔π×γ(dà)系列，分(fēn)别适用(yòng)于允 '‍許偏差為(wèi)±20%、&p£₩lusmn;10%、±5%、±2%、&≤↓¶✘plusmn;1%和(hé)±0.5%的(de)電(diàn§β )阻器(qì)。其中

E24系列為(wèi)常用(yòng)系列，E24、E12和(hé₹↓¶)E6系列也(yě)适用(yòng)于電(di≈ àn)位器(qì)和(hé)電(diàn)容器(qì)，E48、E96、E19ε 2系列為(wèi)高(gāo)精密電(diàn♥≤$✔)阻系列。  

對(duì)各系列的(de)電(diàn)阻規定幾個(gè)基本∏&>系數(shù)，這(zhè)些(xiē)系數(shù)再乘以10n(其中≤'n為(wèi)整數(shù))，即為(wèi)某一α©(yī)具體(tǐ)電(diàn)阻器(qì)阻值。

《實用(yòng)開(kāi)關電(diàn)源設計(jì)》第三章>♥‍(zhāng) 元器(qì)件(jiàn)的(de)實用(yòng)選擇&α​✔nbsp;第二節 電(diàn)阻

之前隻是(shì)有(yǒu)了(le)解，這(zhè)些(xiē≤↑)是(shì)有(yǒu)國(guó)際标準的(de)，•✘實際應用(yòng)的(de)時(shí)候就(jiù)是(shì)看(kàλ↑n)自(zì)己公司的(de)倉庫裡(lǐ)↕‌面常用(yòng)哪些(xiē)電(diàn)阻了(le)。

然後通(tōng)過不(bù)同的(de)電(diàn)路(lù)設計(j∑≥ì)時(shí)考慮下(xià)倉庫的(d‍✘e)電(diàn)阻阻值來(lái)設計(jì)。'ε•↕非倉庫的(de)常規阻值另外(wài)申請(qǐng™ )。

所以看(kàn)别人(rén)做(zuò)的(de)闆子(zǐ)，↔♠<σ如(rú)有(yǒu)的(de)控制(zhì)★♦☆闆中就(jiù)會(huì)看(kàn)到(dào)同樣的(de)5←βσ.1k電(diàn)阻有(yǒu)N個(gè)，其₹←實也(yě)就(jiù)是(shì)方便生(shēng)産與所有(yǒu)非δ¶設計(jì)階段的(de)管控。
放(fàng)電(diàn)測試
放(fàng)電(diàn)測試，電(dià₽×≈♦n)源的(de)狀态是(shì)否一(yī←σ)定得(de)處于空(kōng)載？

NTC的(de)選型

NTC1，常用(yòng)的(de)是(shì)10D-9，★÷£✘5D-9，5D11，2.5D15等幾種型号。

對(duì)應輸入特性裡(lǐ)面的(de)IN•÷✔RUSH CURRENT (Typ.) &γ←±×nbsp;COLD START 45A（30≥★αA、60A等）

功率型NTC熱(rè)敏電(diàn)阻器(qì)在電(d♠→​iàn)路(lù)中抑制(zhì)浪湧電(diàn)流示意圖：

NTC有(yǒu)個(gè)B值，簡單的(de)話(huà)就(jiù)是•δ↔(shì)看(kàn)下(xià)NTC在不(bù)同溫度下(xià✘✔σ)對(duì)應的(de)阻值。對(duì)于常用(yòng)的(de) NTC&nb​≥£↓sp;熱(rè)敏電(diàn)阻， B★§↕ 值範圍一(yī)般在 2000K ～↑&± 6000K 之間(jiān₹₩∑ )。

複雜(zá)點的(de)就(jiù)是(shì)按照(zhào★')裡(lǐ)面的(de)公式，計(jì)算♣∑​↕(suàn)溫度，一(yī)般按5%的(de)誤差計ε (jì)算(suàn)（溫度檢測用(yòng)）。功率型的(de)φ↕NTC精度應該是(shì)20%左右的(deΩ ✘)，B值很(hěn)大(dà)，如(rú)5D-9,25℃的(d↓​e)時(shí)候5Ω左右，高(gā≠₽↑±o)溫的(de)時(shí)候估計(jì)就(jiù)不(bù)到(d​÷∑•ào)1Ω了(le)。所以碰到(dào)過情況，客∑±& 戶反饋說(shuō)老(lǎo)化(huà)後一(yī ≥)段時(shí)間(jiān)後，沖擊電(diàn)流變大(dà)了(lβ±Ωe)，超标了(le)，又(yòu)要(yào)解釋一₹​♣(yī)番。

相(xiàng)同阻值，不(bù)同B值的(de)NTC熱(rè∏λ‍↕)敏電(diàn)阻R-T特性曲線示意圖

NTC還(hái)有(yǒu)另外(wà±→​i)一(yī)個(gè)作(zuò)用(yòng)，雷擊的(₽‌εde)時(shí)候，可(kě)以吸收部分(fēn)的(de)能(néngδ₩")量。保險絲的(de)I2T會(huì)小(xiǎo)些(xiē)♠↕，保險絲不(bù)至于挂掉，橋堆相(xiàng)×$✔應的(de)應力小(xiǎo)點。

輸入電(diàn)容小(xiǎo)也(yě)可(kě)以不(bù♥ ♦↑)要(yào)NTC的(de)，或者NTC的(de)阻值可(kě)以≤ α取小(xiǎo)些(xiē)。隻要(yào)‍ 保險絲和(hé)橋堆能(néng)抗住冷(lěng)啓動瞬間(jiān)的<←≤(de)電(diàn)流也(yě)沒大(dà)問(wèn)題。

NTC在選擇時(shí)有(yǒu)個(gè)工∑"(gōng)作(zuò)電(diàn)流和(hé)工(g←≠‍∞ōng)作(zuò)溫度範圍，工(gōng)作(₽↓εzuò)溫度範圍一(yī)般是(shì)-55-200℃。還($™hái)有(yǒu)個(gè)參數(shù) §¥∑是(shì)帶多(duō)大(dà)的(÷€®de)輸出電(diàn)容，有(yǒu)時(shí)候也¥£₽α(yě)要(yào)注意一(yī)下(xià)的(de)∏λ。

NTC還(hái)對(duì)應了(le)α≈低(dī)溫的(de)問(wèn)題，有(yǒu)的(de)→±‌ LED電(diàn)源-40℃的(de)時(shí)候90Vac起機₹♥♥(jī)閃燈。閃幾下(xià)就(jiù)好(hǎo)了(le)，有(yǒ≠₩u)部分(fēn)原因是(shì)NTC的(d¶¶e)值太大(dà)，還(hái)有(yǒu) " 部分(fēn)情況是(shì)電(diàn'β)解電(diàn)容在低(dī)溫時(shí)的(dπ♦e)容值變小(xiǎo)，ESR變化(huà)等原因。

大(dà)功率的(de)電(diàn)路(lù)（高(gāo)輸入電(di >àn)壓、高(gāo)輸入電(diàn)✘α流）裡(lǐ)面也(yě)會(huì)有(yǒu)₩×λ NTC，或者是(shì)抑制(zhì)沖擊電(diàn)流的(d→&e)功率電(diàn)阻，直流應用(yòng)中繼電(diàn)器(qì)有∑&(yǒu)時(shí)候也(yě)可(kě)以用(y₹£®§òng)可(kě)控矽或者IGBT什(shén)麽的(de)，如(rú)圖。

壓敏電(diàn)阻的(de)選型

RV1：壓敏電(diàn)阻

反激電(diàn)源常用(yòng)的(de)×¥÷¶就(jiù)是(shì)LN之間(jiān)™‍14D471K，雷擊差模1kV，共模2kV就(jiù)夠 ↔了(le)。

單極PFC的(de)反激電(diàn)源LN之間(±∞β♦jiān)14D471K，有(yǒu)的(de)還(hái)需要(yào)✔Ω↕≥加個(gè)電(diàn)解4.7-10uF左右的(de)電(di☆γβ™àn)容串聯二極管吸收掉雷擊的(de)能(néng)量，保護M÷¥OSFET。

差模2kV，共模4kV基本要(yào)加氣體(÷☆tǐ)放(fàng)電(diàn)管的(de)。600A,或者1kA，§λ©>2kA。看(kàn)實際情況增加。

14D471K的(de)選擇264*1.4β±14（峰值）*1.2=447.96V，470*0.9=4​'∏23V，MOSFET=600V。

由于470V有(yǒu)±10%精度問(wèn)題，加之÷₽ 壓敏電(diàn)阻雷擊次數(shù)越多(duō)有(yǒu©↑±€)個(gè)越打越薄的(de)說(shuō)法。

對(duì)于220V～240V交流電(dià≥ n)源防雷器(qì)，應選用(yòng)壓®γ敏電(diàn)壓為(wèi)470V～6≠'∏20V的(de)壓敏電(diàn)阻較合适。

選用(yòng)壓敏電(diàn)壓高(β gāo)一(yī)點的(de)壓敏電(diàn)阻，可(kě)以降低(dī)故δ¥₽障率，延長(cháng)使用(yòng)壽命，但(dà≈∏n)殘壓略有(yǒu)增大(dà)。

壓敏電(diàn)阻的(de)選型還(hái)是(shì)有(yǒu← ™)點偏向于公司的(de)傳統使用(yòng)方式。

一(yī)般對(duì)壓敏電(diàn)阻套上(shàn§$§♥g)熱(rè)縮管，主要(yào)是(shì)防爆和(hé)阻燃的(de•¶₩)作(zuò)用(yòng)。因為(wèi)壓敏電(diàn)阻在失效的≥±£(de)時(shí)候可(kě)能(néng)會(huì♣•π)炸裂，碎片會(huì)蹦到(dào)其他(tā)電(diàn)子(zǐ ∑)元件(jiàn)上(shàng)，還(hái)有(yǒu)$£§✔就(jiù)是(shì)冒火(huǒ)焰。

有(yǒu)時(shí)打雷擊，共模電(diàn)感下(xià)有(yǒ₹∑✘u)放(fàng)電(diàn)針會(huì)放(fàng)電(diàn☆✘ )，或者增加1個(gè)GDT對(duì)雷擊都↔¶α(dōu)有(yǒu)改善。如(rú)圖。

但(dàn)是(shì)這(zhè)個(gè)GDT§‌在打初級次級耐壓的(de)時(shí)候需要(yào)取消掉再打，要(yào)→γ不(bù)打耐壓AC3000V的(de)時(shí)候會(huì)過流報(→®≤©bào)警。
VCC啓動電(diàn)阻

VCC啓動電(diàn)阻：一(yī)般采用(yòng)2個(∏♥"gè)0805/1206或者3個(gè)0603。有(yǒu)的(de↓∞​)IC有(yǒu)高(gāo)壓啓動腳的(de)，習(xí)慣性的(de)也♠↓★(yě)放(fàng)2個(gè)電(diàn)阻串在€<上(shàng)面消耗功率。

貼片電(diàn)阻的(de)降額與壽命

貼片電(diàn)阻的(de)耐壓值如(rú)圖，各個(gè↔♠↑)廠(chǎng)家(jiā)的(de)差異不(bù)大(dà)。 ‌

一(yī)般使用(yòng)經驗是(shì)0805耐壓 ♠>‌不(bù)超過100V，如(rú)圖。實際應用(yòng)用(☆≥÷≠yòng)也(yě)隻有(yǒu)啓動電(diàn)阻、RCD吸收、 <λ RC吸收的(de)時(shí)候電(diàn)阻電(diàn)壓可(kě♣ )能(néng)超過100V。

電(diàn)阻最大(dà)電(diàn)壓

無論你(nǐ)是(shì)否相(xiàng)信，實際電(di✔★àn)阻都(dōu)有(yǒu)一(yī™₽÷)個(gè)能(néng)承受的(de)最大(d©₹&←à)電(diàn)壓值。并且，這(zhè)個(gè)值并不(bù₽₽≠↓)總是(shì)由功率消耗來(lái)限制(zhìπ±☆Ω)決定的(de)。電(diàn)阻實際上(shàng)可♣¥(kě)以被擊穿（打火(huǒ)）。在使用(yò$₩&±ng)表面貼片電(diàn)阻的(de)場(chǎng)合，由于端≈₽>&點之間(jiān)的(de)間(jiān)隔比較近(jìn)§↑λ↑，電(diàn)壓限制(zhì)問(wèn)題尤≥ε∑其嚴重。處理(lǐ)電(diàn)壓問(wèn) "題時(shí)，比如(rú)說(shuō)100V電(di∏αàn)壓的(de)電(diàn)源，你(nǐ✘↓¥)會(huì)檢查發現(xiàn)，任何連←¶®接到(dào)高(gāo)電(diàn)壓的(de)電(diàn)阻'→ ‌都(dōu)必須有(yǒu)耐壓的(de)要(yào)求

實用(yòng)開(kāi)關電(diàn)源設計"ε(jì)第一(yī)篇  第三σ±•章(zhāng)  第二節 &nε₹bsp;電(diàn)阻  裡(lǐ★α☆)面有(yǒu)講到(dào)超過100V需要(yào)考慮 λ∑電(diàn)阻耐壓問(wèn)題。

電(diàn)阻規格書(shū)中體(t£πǐ)現(xiàn)的(de)不(bù)同封裝和(hé)系列對(duì)應的↑>♣(de)電(diàn)壓耐壓表格。

貼片電(diàn)阻的(de)功率大(dà)部≤☆©<分(fēn)設計(jì)的(de)時(sh¶&í)候都(dōu)不(bù)怎麽考慮，信号部分(fēn)處λ★¶&理(lǐ)基本是(shì)采用(yòng)0603的(γ↕λ≈de)電(diàn)阻。

帶吸收的(de)部分(fēn)采用(yòng)0805或者1206的(de♣™&∏)電(diàn)阻，功率大(dà)點的(de)情況一(yī)般采用'σ‌(yòng)插件(jiàn)電(diàn₩λσ÷)阻和(hé)水(shuǐ)泥電(diàn)阻。

由于電(diàn)阻的(de)工(gōng)作(zuò)溫度範圍一(yī)般是∞↕ (shì)-55℃-125℃或者-55℃-155攝↓Ω™氏度，一(yī)般設計(jì)時(shí)，功率不(bù)超過該電(diàn‍‌)阻功率檔位的(de)1/4。

（電(diàn)阻溫度很(hěn)高(gāo §★)運行(xíng)的(de)情況下(xià≠∏₽)超限值使用(yòng)會(huì)加速★±→電(diàn)阻老(lǎo)化(huà)，然後阻值變大(dà)‍§π✔或者失效，時(shí)間(jiān)大(dà)≥↔概是(shì)1-3年(nián)左右出現(xiàn)問(wèn)γ∑≈題。）

溫度對(duì)應電(diàn)阻的(de)功率曲線。溫度越$∏δ←高(gāo)，電(diàn)阻能(néng)用(yòng)到(dà÷¥§o)的(de)功率越小(xiǎo)。

所以一(yī)般工(gōng)業(yè)類電(diλ∞àn)源設計(jì)和(hé)LED電(diàn≥")源設計(jì)裡(lǐ)面要(yào)≈σ滿足60℃以上(shàng)的(de)環境溫度，電(diàn)阻在功率部分(f↓÷ ēn)留的(de)餘量更大(dà)。
VCC繞組供電(diàn)串聯電(diàn)阻的(de)選型

VCC繞組供電(diàn)。

輸出電(diàn)壓變化(huà)範圍寬的≠≤∏(de)情況下(xià)，需要(yào)增加VCC的(de)輔助繞組供電♦ β↕(diàn)。

或者IC的(de)VCC供電(diàn)範圍比較¥✔®§窄，要(yào)滿足輕載、重載以及起機(jī)的(de)情±δ況。

IC的(de)VCC範圍比較寬，直接采用(yòng)VCC↑‌♠繞組整流後串聯個(gè)電(diàn)阻使用(yδ±òng)。

R7的(de)用(yòng)法一(yī)般有(yǒu)的(de)用(yònα‍♣g)電(diàn)阻，有(yǒu)的(de)可(kě)∞✔‌以用(yòng)磁珠。電(diàn)壓電(diàn)流範®γ圍比較寬的(de)話(huà)，R7用(yòng)插件(ji←§àn)電(diàn)阻，在大(dà)電(diàn)流時(shí✔↓✘)和(hé)高(gāo)壓是(shì)能(® néng)幫IC減小(xiǎo)點電(diàn)壓。

R7還(hái)有(yǒu)個(gè)用₽☆<≠(yòng)處是(shì)在切載的(de)時(shí)↓∏候能(néng)吸收掉VCC的(de)尖峰，®≠∑×避免切載時(shí)IC的(de)VCC過高(gāo)保護。

R8的(de)取值，ZD1是(shì)15V，Q1進來(l✘δ↑ái)的(de)電(diàn)壓是(shì)20V，直流放(fà <ng)大(dà)增益按照(zhào)40倍（hef一(β↑yī)般是(shì)50-300,40是(shì)§σ≈✘留餘量的(de)算(suàn)法）來(lái)算(suàn)。IC工(gō♦→₹ng)作(zuò)電(diàn)流為(wèi)1&&ε0mA，R8=（20V-15V）/（10mA/40倍©×®）=20kΩ。
驅動電(diàn)阻的(de)選型
MOSFET的(de)驅動電(diàn)阻、GS放(₩₹ βfàng)電(diàn)電(diàn)阻§∑、Isense電(diàn)阻。

整改EMC時(shí)調整R9，R13。

R19，R13一(yī)般采用(yòng)0805‌♥↕，MOSFET電(diàn)流較大(dà)的(de)話(hu÷δ≈à)采用(yòng)1206，并且取消掉D3。

R10，小(xiǎo)功率的(de)情況可(kě)以用(yòng)幾個(gè)¶±β0805或者1206并聯，

大(dà)功率情況下(xià)，如(rú)果電(diàn)流很(hěn)大(dà)β™φ，電(diàn)阻上(shàng)的(d≤↓e)電(diàn)感對(duì)檢測電(diàn)路(lù)影(yǐng≠ ↔→)響很(hěn)大(dà)，容易出現(xiàn)批量問(wèn)題™&₽₩，用(yòng)繞線無感電(diàn)阻比較靠譜。

電(diàn)流再大(dà)的(de)情況就(jiù)要(yào)♥π打算(suàn)用(yòng)電(diàn)流傳感器ε'‍(qì)。驅動部分(fēn)也(yě)要(yào)換<‌專門(mén)的(de)驅動芯片或者采用(yòng)一(y¶π‌ī)對(duì)三極管來(lái)做(zuò)驅動。
原副邊的(de)吸收電(diàn)阻

RCD電(diàn)路(lù)，裡(lǐ)面的(de)R選值，基本按照(z≠​​hào)功率來(lái)選了(le)，電(diàn)源功率越大(dà)，★×$R的(de)功率相(xiàng)對(duì)越大(dà)。

RCD吸收電(diàn)路(lù)裡(lǐ)面的(de)電(d£✔↑§iàn)壓尖峰，這(zhè)些(xiē)αγ∏≤尖峰基本上(shàng)是(shì)開(kāi)關管高(gāo)d ₹™V/dt和(hé)dI/dt時(shí)候$β≥出現(xiàn)的(de)。

反激裡(lǐ)面會(huì)用(yòng←α)到(dào)，大(dà)功率的(de)全橋電(diàn)路(>✔↑lù)裡(lǐ)面也(yě)會(huì)用(yòng)到(dào)。

RCD在調整輻射的(de)時(shí)候，電(diàn)阻對(‌☆↑duì)輻射影(yǐng)響還(hái)是(shì)有(yǒu)點關系的(deλ←)。
431反饋部分(fēn)的(de)電(diàn)阻
431部分(fēn)的(de)電(diàn)阻選擇參π☆考

R4一(yī)般需要(yào)保證D1能(néng)有(σ✘yǒu)10mA左右的(de)電(diàn)流。

R2一(yī)般保證有(yǒu)1mA左右的(de)電(diàn)流，用(yò≠£ng)1k-5k左右的(de)值，阻值太大(dà)，流經的(de)電(di×÷àn)流小(xiǎo)了(le)，易被幹擾，阻值Ω♣∞太小(xiǎo)，流經的(de)電(dià☆×≈©n)流大(dà)了(le)，待機(jī)損耗又(yòu)浪費™¥λ(fèi)了(le)。

R3一(yī)般需要(yào)配合C1一(yī)起調試。習(xí)慣性的(ε≤>πde)用(yòng)10k+103。R6♥→∞σ一(yī)般采用(yòng)1k左右的(de)電(diàn)阻♠∑€₹，提供D1的(de)電(diàn)流情況下(xià)，不(b£∏βù)怎麽影(yǐng)響Q1。

R4一(yī)般需要(yào)保證D1能(nγγ£÷éng)有(yǒu)10mA左右的(de)電(diàn)流，如(rú)何理α↔♥ (lǐ)解？

如(rú)Vout=12V，則R4可(kě)以選取820Ω電(dΩσiàn)阻，R4上(shàng)面的(de)電(÷ ®diàn)壓≈12-1V（光(guāng)耦）-2.5（基準）§♥ γ=8.5V。

極限情況下(xià)：

當電(diàn)壓超過12V時(shí)，431兩端"∏的(de)電(diàn)壓可(kě)以很(hěn)小(x'$iǎo)，如(rú)2.5V以下(xià)，則光(guγ✔®āng)耦上(shàng)會(huì)有(yǒu)10mA電(diàn)流α✘₹ ，初級的(de)FB被很(hěn)快(kuài)拉低(dī)，PW™<​♥M占空(kōng)比很(hěn)快(ku&∏ài)變小(xiǎo)。

當電(diàn)壓低(dī)于12V時(shí)，Ω≠431兩端的(de)電(diàn)壓可(kě)以很( ©≥™hěn)大(dà)，接近(jìn)12V，則光(guāng)耦上(shΩ"βàng)沒有(yǒu)電(diàn)流經過，初級FB♦♠×'電(diàn)壓未被拉低(dī)，則初級PWM的(de)占空(kōng)§× 比會(huì)增加。

這(zhè)個(gè)電(diàn)阻可(kě)以調節輸出電(diàn)₽♠'壓過沖，和(hé)負載突變時(shí)的(de)輸出電(diàn)壓 →<↑變化(huà)值。

10mA為(wèi)參考值，不(bù)同的(λΩ'de)電(diàn)路(lù)需要(yào)調節R4的(de)值。