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30多(duō)種元器(qì)件(jiàn)失效後的(¶​de)狀态(短(duǎn)路(lù)、開(kāi)路(Ω★lù)、損傷..所占百分(fēn)比)

發布時(shí)間(jiān):2017年(nián)06月(yuè)22日(rì)浏覽次數(shù):

電(diàn)容失效方式分(fēn)布:電(diàn)容大(π>♣dà)部分(fēn)是(shì)以短(du ‌→‍ǎn)路(lù)形式失效的(de),特别钽電(diàn ®¶≤)容,要(yào)特别注意。


電(diàn)阻:電(diàn)阻以開(kāi)路(lù)為(wèi)主,混合' 物(wù)電(diàn)阻一(yī)般為(wè£✔i)分(fēn)立的(de)電(diàn)阻,薄膜電(diàn)阻為(wèi≥​)SMD表貼電(diàn)阻

繼電(diàn)器(qì),線圈,變壓器(qì)

二極管:短(duǎn)路(lù)為(wèi)主。

三極管和(hé)Mos管:三極管與JFET類似,和(hé)♠πMosFET截然不(bù)同。

電(diàn)池

其他(tā)元件(jiàn)

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